韬客外汇论坛分析师称，据韩媒BusinessKorea报导，三星电子计划在今年6月前完成11奈米制程第六代1c DRAM的开发，在美光（MU-US）、SK海力士加速追赶之际，力拚保持产业龙头地位。 三星近期通知公司内部半导体研究人员，公司决定跳过并放弃12奈米制程1b DRAM的开发。先前传出三星1b遇到研发障碍，可能修改产品轨道与战略。 三星决定放弃1b DRAM后，立即加速1c DRAM的开发，若1c今年能亮相，可望拉开与美光、SK海力士等竞争对手的技术差距。 三星现阶段正面临必须抢先开发出1c DRAM的压力，因为1a（1-alpha）DRAM开放进度已落后美光，美光目前1a（1-alpha）DRAM已进入量产阶段。 三星过去也曾放弃28奈米DRAM开发与量产，瞄准25奈米DRAM，不过，随着制程工艺进入10奈米阶段，三星要在先进制程中复制过去模式恐有难度。