韬客外汇论坛分析师称，随着台积电（2330-TW）（TSM-US）、三星陆续在2奈米、3奈米导入GAA构架，美商应用材料（ATMT-US）今（25）日也宣布，除了协助客户运用EUV持续进行2D微缩外，也展示次世代3D闸极全环电晶体（GAA）制造技术组合。 应材表示，芯片制造商正试图透过两个相互搭配的途径，增加未来数年的晶体管密度，一种是依循传统摩尔定律的2D微缩技术，透过EUV微影系统与材料工程以缩小线宽，另一种则使用设计技术最佳化（DTCO）与3D技术，布局最佳化逻辑单元去增加密度，且不需要改变微影间距。 以3D技术来看，应材指出，3D技术需采用晶背电源，分配网络与闸极全环（GAA）晶体管，随着传统2D微缩技术逐渐式微，预计此技术将有效提升逻辑单元密度的比率，进一步协助晶圆厂改善次世代逻辑芯片的功率、性能、单位面积、成本与上市时间（PPACt）。 应材半导体资深副总裁暨半导体产品事业群总经理帕布‧若杰（Prabu Raja）强调，公司策略是成为PPACt推动公司，已备妥为GAA制造提供业界最完整的产品组合，包括在磊晶、原子层沉积、选择性去除材料的新步骤及两种新整合性材料解决方案，以产生合适的GAA闸极氧化层与金属闸极。